IRFH5250DTRPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFH5250DTRPBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRFH5250DTRPBF-DG

Beskrivning:

IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

902 Pcs Ny Original I Lager
12946793
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFH5250DTRPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6115 pF @ 13 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
362
Andra namn
INFIRFIRFH5250DTRPBF
2156-IRFH5250DTRPBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRF1407PBF

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3