FDFMA2P853
Tillverkare Produktnummer:

FDFMA2P853

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDFMA2P853-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventarier:

22471 Pcs Ny Original I Lager
12946796
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDFMA2P853 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET-funktion
Schottky Diode (Isolated)
Effektförlust (max)
1.4W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-MicroFET (2x2)
Paket / Fodral
6-VDFN Exposed Pad

Datablad och dokument

Datablad
FDFMA2P853 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
825
Andra namn
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2