FQP3N80C
Tillverkare Produktnummer:

FQP3N80C

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQP3N80C-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

53553 Pcs Ny Original I Lager
12946802
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP3N80C Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
705 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
401
Andra namn
2156-FQP3N80C
FAIFSCFQP3N80C

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK