AUIRF3205ZS
Tillverkare Produktnummer:

AUIRF3205ZS

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

AUIRF3205ZS-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventarier:

1650 Pcs Ny Original I Lager
12946806
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

AUIRF3205ZS Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
237
Andra namn
2156-AUIRF3205ZS
INFIRFAUIRF3205ZS

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FQD1N60CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6688

MOSFET N-CH 30V 84A DPAK