FDB86102LZ
Tillverkare Produktnummer:

FDB86102LZ

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDB86102LZ-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

6118 Pcs Ny Original I Lager
12946803
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDB86102LZ Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1275 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
FDB86102LZ Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
345
Andra namn
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3