IRF1407PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF1407PBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF1407PBF-DG

Beskrivning:

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

1150 Pcs Ny Original I Lager
12946794
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF1407PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
330W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
236
Andra namn
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF

Miljö- och exportklassificering

HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8