Tillverkare Produktnummer:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPQC65R017CFD7XTMA1-DG
Beskrivning:
HIGH POWER_NEW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
Inventarier:
13373442
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPQC65R017CFD7XTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12338 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
694W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HDSOP-22
Paket / Fodral
22-PowerBSOP Module
Grundläggande produktnummer
IPDQ65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
750
Andra namn
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPQC65R017CFD7AXTMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
ENHETSPRIS
13.09
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
ENHETSPRIS
13.19
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW