Tillverkare Produktnummer:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Tillverkare:
CoolCAD
DiGi Electronics Delenummer:
CC-C2-B15-0322-DG
Beskrivning:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
30 Pcs Ny Original I Lager
13373452
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CC-C2-B15-0322 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Emballage
Bulk
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V
rds på (max) @ id, vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (max)
+15V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5
Andra namn
3892-CC-C2-B15-0322
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER