Tillverkare Produktnummer:
SIRS4302DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRS4302DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 6.9W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
11964 Pcs Ny Original I Lager
13374108
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIRS4302DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
87A (Ta), 478A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.57mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10150 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.9W (Ta), 208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIRS4302
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIRS4302DP-T1-GE3TR
742-SIRS4302DP-T1-GE3CT
742-SIRS4302DP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-