Tillverkare Produktnummer:
TSM60NB380CH
Product Overview
Tillverkare:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
TSM60NB380CH-DG
Beskrivning:
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventarier:
13374190
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TSM60NB380CH Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
795 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
TSM60
Ytterligare information
Standard-paket
15,000
Andra namn
1801-TSM60NB380CH
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE