FDPF18N20FT-G
Tillverkare Produktnummer:

FDPF18N20FT-G

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDPF18N20FT-G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

1246 Pcs Ny Original I Lager
12946430
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDPF18N20FT-G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
UniFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
FDPF18N20FT-G Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
392
Andra namn
ONSFSCFDPF18N20FT-G
2156-FDPF18N20FT-G

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRL3705ZPBF

IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW

international-rectifier

IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F