IRFHS8242TRPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFHS8242TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRFHS8242TRPBF-DG

Beskrivning:

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)

Inventarier:

177700 Pcs Ny Original I Lager

12946436

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFHS8242TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

HEXFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

25 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

9.9A (Ta), 21A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

13mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

10.4 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

653 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.1W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

6-PQFN (2x2)

Paket / Fodral

6-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad

IRFHS8242PBF Datasheet

Datasheets

HTML-Datasheet

IRFHS8242TRPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,689

Andra namn

ROCIRFIRFHS8242TRPBF

2156-IRFHS8242TRPBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8542.39.0001

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3