FQPF22N30
Tillverkare Produktnummer:

FQPF22N30

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQPF22N30-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 12A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

872 Pcs Ny Original I Lager
12946441
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQPF22N30 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
56W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
FQPF22N30 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
152
Andra namn
FAIFSCFQPF22N30
2156-FQPF22N30

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FCU850N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

international-rectifier

AUIRF1324STRL

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK