FDMS7672
Tillverkare Produktnummer:

FDMS7672

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS7672-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount Power56

Inventarier:

2000 Pcs Ny Original I Lager
12946438
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDMS7672 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2960 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Power56
Paket / Fodral
8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
575
Andra namn
FAIFSCFDMS7672
2156-FDMS7672

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FCU850N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR