Tillverkare Produktnummer:
FDP16AN08A0
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FDP16AN08A0-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
3500 Pcs Ny Original I Lager
12946787
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDP16AN08A0 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1857 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
135W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
330
Andra namn
ONSONSFDP16AN08A0
2156-FDP16AN08A0
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDPF13N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IRFH5250DTRPBF
IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRF1407PBF
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
