Tillverkare Produktnummer:
SUG80050E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUG80050E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
2287 Pcs Ny Original I Lager
12965934
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUG80050E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
ThunderFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6250 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SUG80050
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SUG80050E-GE3TR-DG
SUG80050E-GE3DKRINACTIVE
SUG80050E-GE3TRINACTIVE
SUG80050E-GE3DKR-DG
SUG80050E-GE3CT
SUG80050E-GE3TR
SUG80050E-GE3CT-DG
SUG80050E-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON