Tillverkare Produktnummer:
ISC0803NLSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
ISC0803NLSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 37A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventarier:
2433 Pcs Ny Original I Lager
12965939
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
ISC0803NLSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 37A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 18µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
ISC0803N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-ISC0803NLSATMA1DKR
448-ISC0803NLSATMA1TR
SP005430489
448-ISC0803NLSATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON