Tillverkare Produktnummer:
ISZ0804NLSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
ISZ0804NLSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Inventarier:
7025 Pcs Ny Original I Lager
12965941
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
ISZ0804NLSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 28µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-26
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
ISZ0804N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-ISZ0804NLSATMA1DKR
SP005430388
448-ISZ0804NLSATMA1CT
448-ISZ0804NLSATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
ISC0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
