SUD50P04-23-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SUD50P04-23-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SUD50P04-23-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 8.2A (Ta), 20A (Tc) 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

Förfrågan Online
12787200
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SUD50P04-23-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1880 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SUD50

Ytterligare information

Standard-paket
2,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHD4N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK

vishay-siliconix

SIR122DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK

vishay-siliconix

SISS46DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK

vishay-siliconix

SIHB22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK