Tillverkare Produktnummer:
SIHD4N80E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHD4N80E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12787203
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHD4N80E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Bulk
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SIHD4
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR122DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
SIHB22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK