Tillverkare Produktnummer:
SIR122DP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR122DP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12604 Pcs Ny Original I Lager
12787204
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR122DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR122
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR122DP-T1-RE3CT
SIR122DP-T1-RE3TR
SIR122DP-T1-RE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
SIHB22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
SIR330DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
