Tillverkare Produktnummer:
SQ4064EY-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQ4064EY-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
9796 Pcs Ny Original I Lager
12920206
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQ4064EY-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2096 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SQ4064
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SQ4064EY-T1_GE3-DG
SQ4064EY-T1_GE3CT
SQ4064EY-T1_GE3TR
SQ4064EY-T1_GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI7790DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
