SIHG32N50D-GE3

Tillverkare Produktnummer:

SIHG32N50D-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG32N50D-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 500 V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

1830 Pcs Ny Original I Lager

12920214

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SIHG32N50D-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

500 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

150mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

96 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2550 pF @ 100 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

390W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-247AC

Paket / Fodral

TO-247-3

Grundläggande produktnummer

SIHG32

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

SIHG32N50D-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket

25

Andra namn

SIHG32N50DGE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SI8424CDB-T1-E1

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SIE864DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220