SIHG32N50D-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHG32N50D-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG32N50D-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

1830 Pcs Ny Original I Lager
12920214
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHG32N50D-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2550 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
390W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG32

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
25
Andra namn
SIHG32N50DGE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SI8424CDB-T1-E1

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SIE864DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220