SI8424CDB-T1-E1
Tillverkare Produktnummer:

SI8424CDB-T1-E1

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI8424CDB-T1-E1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 8 V 6.3A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventarier:

2000 Pcs Ny Original I Lager
12920216
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI8424CDB-T1-E1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
8 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 4 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-Microfoot
Paket / Fodral
4-UFBGA, WLCSP
Grundläggande produktnummer
SI8424

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI8424CDB-T1-E1CT
SI8424CDBT1E1
SI8424CDB-T1-E1DKR
SI8424CDB-T1-E1TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIE864DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

vishay-siliconix

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI2319DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3