Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIR662DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR662DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
Förfrågan Online
12920197
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR662DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4365 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR662
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
PowerPak SO-8 Drawing
Datablad
SIR662DP
Datasheets
SIR662DP-T1-GE3
HTML-Datasheet
SIR662DP-T1-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RS3L045GNGZETB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1173
DEL NUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TPH7R006PL,L1Q
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
54092
DEL NUMMER
TPH7R006PL,L1Q-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RS1L145GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1003
DEL NUMMER
RS1L145GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
PMBF170,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
SI5449DC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
SQ4064EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC