SI5449DC-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

SI5449DC-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI5449DC-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventarier:

12920202
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI5449DC-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
85mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Grundläggande produktnummer
SI5449

Ytterligare information

Standard-paket
3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7790DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG32N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC

vishay-siliconix

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK