Tillverkare Produktnummer:
SIR4602LDP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR4602LDP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
1877 Pcs Ny Original I Lager
12974791
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR4602LDP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1185 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 43W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIR4602LDP-T1-RE3DKR
742-SIR4602LDP-T1-RE3CT
742-SIR4602LDP-T1-RE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
CSD18533Q5AT
Tillverkare
Texas Instruments
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1946
DEL NUMMER
CSD18533Q5AT-DG
ENHETSPRIS
0.61
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJL9408_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVTFWS8D1N08HTAG
80V T8 IN U8FL HEFET PACK
PJS6405_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
