Tillverkare Produktnummer:
SIRS700DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRS700DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7.4W (Ta),132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
4359 Pcs Ny Original I Lager
12974811
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIRS700DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 127A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
7.4W (Ta),132W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIRS700DP-T1-GE3TR
742-SIRS700DP-T1-GE3DKR
742-SIRS700DP-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
TSM500N15CS RLG
150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G1003A
MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23
