PJS6405_S1_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJS6405_S1_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJS6405_S1_00001-DG

Beskrivning:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventarier:

1552 Pcs Ny Original I Lager
12974800
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJS6405_S1_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
72mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
417 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-6
Paket / Fodral
SOT-23-6
Grundläggande produktnummer
PJS6405

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJS6405_S1_00001TR
3757-PJS6405_S1_00001DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIRS700DP-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

goford-semiconductor

G1003A

N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2

taiwan-semiconductor

TSM500N15CS RLG

150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G1003A

MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23