Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHP18N60E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP18N60E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12786087
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP18N60E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP18
Datablad och dokument
Datasheets
SIHP18N60E-GE3
HTML-Datasheet
SIHP18N60E-GE3-DG
Datablad
SIHP18N60E
SIHP18N60E
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP65R190E6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
580
DEL NUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK17E65W,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12
DEL NUMMER
TK17E65W,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.35
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
IPP60R180C7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
572
DEL NUMMER
IPP60R180C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.23
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP20N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
945
DEL NUMMER
STP20N65M5-DG
ENHETSPRIS
1.36
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SPP20N60S5XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3452
DEL NUMMER
SPP20N60S5XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
SIHU6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK