Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPP65R190E6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP65R190E6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
580 Pcs Ny Original I Lager
12806787
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
h
L
6
7
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP65R190E6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP65R190
Datablad och dokument
Datablad
IPP65R190E6
Datasheets
IPP65R190E6XKSA1
HTML-Datasheet
IPP65R190E6XKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
INFINFIPP65R190E6XKSA1
SP000849876
2156-IPP65R190E6XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK17E65W,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12
DEL NUMMER
TK17E65W,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.35
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FCP190N65F
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1600
DEL NUMMER
FCP190N65F-DG
ENHETSPRIS
1.98
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP26N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STP26N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.34
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP21N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2997
DEL NUMMER
STP21N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FCP150N65F
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FCP150N65F-DG
ENHETSPRIS
2.31
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPP100N06S2L-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRFS7434-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
IRL40S212
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK