Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
TK17E65W,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK17E65W,S1X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12 Pcs Ny Original I Lager
12889729
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK17E65W,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK17E65
Datablad och dokument
Datablad
TK17E65W
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCP165N60E
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1200
DEL NUMMER
FCP165N60E-DG
ENHETSPRIS
1.91
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPP60R180C7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
572
DEL NUMMER
IPP60R180C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.23
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP21N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2997
DEL NUMMER
STP21N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.32
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP28N60DM2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
220
DEL NUMMER
STP28N60DM2-DG
ENHETSPRIS
1.63
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP28N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
932
DEL NUMMER
STP28N65M2-DG
ENHETSPRIS
1.44
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD