STP28N65M2
Tillverkare Produktnummer:

STP28N65M2

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STP28N65M2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

932 Pcs Ny Original I Lager
12880778
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STP28N65M2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP28

Datablad och dokument

Datablad
STx28N65M2

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
497-15559-5-DG
-1138-STP28N65M2
497-STP28N65M2
497-15559-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STB100NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

stmicroelectronics

STB22NS25ZT4

MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK

stmicroelectronics

STB140N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STB120N10F4

MOSFET N-CH 100V D2PAK