Tillverkare Produktnummer:
SIB417EDK-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIB417EDK-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventarier:
12918589
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIB417EDK-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
8 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
58mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max)
±5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
565 pF @ 4 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-75-6
Grundläggande produktnummer
SIB417
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIB417EDK-T1-GE3DKR
SIB417EDK-T1-GE3CT
SIB417EDK-T1-GE3TR
SIB417EDKT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUD50N02-06P-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
SIA444DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
SI7456DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
