Tillverkare Produktnummer:
SI7456DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7456DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12918599
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7456DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.9W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7456
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7456DPT1GE3
SI7456DP-T1-GE3CT
SI7456DP-T1-GE3TR
SI7456DP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDMS86105
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
23647
DEL NUMMER
FDMS86105-DG
ENHETSPRIS
0.73
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
