SIA444DJT-T4-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA444DJT-T4-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA444DJT-T4-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventarier:

Förfrågan Online
12918595
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA444DJT-T4-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA444

Datablad och dokument

Datablad
SIA444DJT-T1-GE3
Datasheets
SIA444DJT-T4-GE3
HTML-Datasheet
SIA444DJT-T4-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI7456DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

vishay-siliconix

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SI8489EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT