Tillverkare Produktnummer:
SIA400EDJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
151951 Pcs Ny Original I Lager
12917951
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA400EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
19mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1265 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
19.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA400
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA400EDJ-T1-GE3DKR
SIA400EDJ-T1-GE3TR
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
SIA400EDJ-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
