Tillverkare Produktnummer:
SUP90140E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUP90140E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
551 Pcs Ny Original I Lager
12917960
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUP90140E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
ThunderFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4132 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP90140
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SUP90140E-GE3CT
SUP90140E-GE3TR
SUP90140E-GE3TR-DG
SUP90140E-GE3DKR-DG
SUP90140E-GE3CT-DG
SUP90140E-GE3TRINACTIVE
SUP90140E-GE3DKRINACTIVE
SUP90140E-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
SI5441BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
