Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIS434DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIS434DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
1877 Pcs Ny Original I Lager
12917964
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIS434DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1530 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SIS434
Datablad och dokument
Datablad
SIS434DN
Datasheets
SIS434DN-T1-GE3
HTML-Datasheet
SIS434DN-T1-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIS434DN-T1-GE3DKR
SIS434DN-T1-GE3TR
SIS434DN-T1-GE3CT
SIS434DNT1GE3
SIS434DN-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RQ7E110AJTCR
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1294
DEL NUMMER
RQ7E110AJTCR-DG
ENHETSPRIS
0.33
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
DMN4008LFG-7
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
23493
DEL NUMMER
DMN4008LFG-7-DG
ENHETSPRIS
0.23
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
DMN4008LFG-13
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3000
DEL NUMMER
DMN4008LFG-13-DG
ENHETSPRIS
0.23
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RQ3G100GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
112698
DEL NUMMER
RQ3G100GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RQ3G150GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5884
DEL NUMMER
RQ3G150GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.44
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
SI5441BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
SUD50N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8