SI5513CDC-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SI5513CDC-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI5513CDC-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventarier:

12920618
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI5513CDC-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A, 3.7A
rds på (max) @ id, vgs
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Effekt - Max
3.1W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Grundläggande produktnummer
SI5513

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI5513CDCT1GE3
SI5513CDC-T1-GE3CT
SI5513CDC-T1-GE3DKR
SI5513CDC-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIA917DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI3993DV-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJ244EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SISF20DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12