Tillverkare Produktnummer:
SISF20DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISF20DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventarier:
12920684
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISF20DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1290pF @ 30V
Effekt - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Grundläggande produktnummer
SISF20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
NX138AKSF
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP