Tillverkare Produktnummer:
SQJ244EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ244EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Inventarier:
1 Pcs Ny Original I Lager
12920658
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ244EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Effekt - Max
27W (Tc), 48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grundläggande produktnummer
SQJ244
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJ244EP-T1_GE3CT
SQJ244EP-T1_GE3DKR
SQJ244EP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
