TP65H070LDG
Tillverkare Produktnummer:

TP65H070LDG

Product Overview

Tillverkare:

Transphorm

DiGi Electronics Delenummer:

TP65H070LDG-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventarier:

Förfrågan Online
13446137
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TP65H070LDG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
-
Serie
TP65H070L
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
3-PQFN (8x8)
Paket / Fodral
3-PowerDFN
Grundläggande produktnummer
TP65H070

Datablad och dokument

Datablad
TP65H070L Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
60

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
transphorm

TP65H035WSQA

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

transphorm

TPH3208LDG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TPH3208LS

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TPH3205WSBQA

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3