TP65H035WSQA
Tillverkare Produktnummer:

TP65H035WSQA

Product Overview

Tillverkare:

Transphorm

DiGi Electronics Delenummer:

TP65H035WSQA-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

202 Pcs Ny Original I Lager
13446162
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TP65H035WSQA Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Effektförlust (max)
187W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TP65H035

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
60

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
transphorm

TPH3208LDG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TPH3208LS

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TPH3205WSBQA

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

transphorm

TPH3202PD

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB