TPH3208LDG
Tillverkare Produktnummer:

TPH3208LDG

Product Overview

Tillverkare:

Transphorm

DiGi Electronics Delenummer:

TPH3208LDG-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventarier:

20 Pcs Ny Original I Lager
13446350
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TPH3208LDG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (max)
±18V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
3-PQFN (8x8)
Paket / Fodral
3-PowerDFN

Ytterligare information

Standard-paket
60

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IXFA22N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
250
DEL NUMMER
IXFA22N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
transphorm

TPH3208LS

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TPH3205WSBQA

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

transphorm

TPH3202PD

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

transphorm

TPH3206LDB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN