Tillverkare Produktnummer:
TK39N60W5,S1VF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK39N60W5,S1VF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
3172 Pcs Ny Original I Lager
12890996
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK39N60W5,S1VF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
74mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
270W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK39N60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON