Tillverkare Produktnummer:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK65A10N1,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
9 Pcs Ny Original I Lager
12891004
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK65A10N1,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK65A10
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDPF045N10A
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1000
DEL NUMMER
FDPF045N10A-DG
ENHETSPRIS
1.73
Ersättnings typ
Upgrade
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
