Tillverkare Produktnummer:
TPC8035-H(TE12L,QM
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventarier:
12891003
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
soEs
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPC8035-H(TE12L,QM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
U-MOSVI-H
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Fodral
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Grundläggande produktnummer
TPC8035
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
TPC8035-HTE12LQMDKR
TPC8035HTE12LQM
TPC8035-HTE12LQMTR
TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
