TK17A80W,S4X
Tillverkare Produktnummer:

TK17A80W,S4X

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK17A80W,S4X-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventarier:

52 Pcs Ny Original I Lager
12889165
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TK17A80W,S4X Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK17A80

Datablad och dokument

Datablad
TK17A80W

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
TK17A80W,S4X(S
TK17A80WS4X

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A60W5,S5VX

MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ50S06M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK

diodes

DMT6002LPS-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J66MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 800MA VESM