Tillverkare Produktnummer:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventarier:
2000 Pcs Ny Original I Lager
12889173
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max)
+10V, -20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6290 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK+
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TJ50S06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
